RJL6020DPK-00#T0
RJL6020DPK-00#T0
Modello di prodotti:
RJL6020DPK-00#T0
fabbricante:
Renesas Electronics America
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14261 Pieces
Scheda dati:
RJL6020DPK-00#T0.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:-
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-3P
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:210 mOhm @ 15A, 10V
Dissipazione di potenza (max):200W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-3P-3, SC-65-3
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:RJL6020DPK-00#T0
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:4750pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:130nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 30A (Ta) 200W (Tc) Through Hole TO-3P
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:30A (Ta)
Email:[email protected]

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