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1N1206A
- Modello di prodotti:
- 1N1206A
- fabbricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descrizione:
- DIODE GEN PURP 600V 12A DO4
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16332 Pieces
- Scheda dati:
- 1.1N1206A.pdf2.1N1206A.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 1.1V @ 12A |
|---|---|
| Tensione - inversa (Vr) (max): | 600V |
| Contenitore dispositivo fornitore: | DO-4 |
| Velocità: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Altri nomi: | 1242-1079 |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | -65°C ~ 200°C |
| Tipo montaggio: | Chassis, Stud Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | 1N1206A |
| Descrizione espansione: | Diode Standard 600V 12A Chassis, Stud Mount DO-4 |
| Tipo diodo: | Standard |
| Descrizione: | DIODE GEN PURP 600V 12A DO4 |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 10µA @ 50V |
| Corrente - raddrizzata media (Io): | 12A |
| Capacità a Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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