1N4006T-G
1N4006T-G
Modello di prodotti:
1N4006T-G
fabbricante:
Comchip Technology
Descrizione:
DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16282 Pieces
Scheda dati:
1N4006T-G.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - diretta (Vf) (max) a If:1.1V @ 1A
Tensione - inversa (Vr) (max):800V
Contenitore dispositivo fornitore:DO-41
Velocità:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie:-
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:DO-204AL, DO-41, Axial
Temperatura di funzionamento - Giunzione:-55°C ~ 150°C
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:1N4006T-G
Descrizione espansione:Diode Standard 800V 1A Through Hole DO-41
Tipo diodo:Standard
Descrizione:DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
Corrente - Dispersione inversa a Vr:5µA @ 800V
Corrente - raddrizzata media (Io):1A
Capacità a Vr, F:15pF @ 4V, 1MHz
Email:[email protected]

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