1N4150 TR
1N4150 TR
Modello di prodotti:
1N4150 TR
fabbricante:
Central Semiconductor
Descrizione:
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19879 Pieces
Scheda dati:
1N4150 TR.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - diretta (Vf) (max) a If:1V @ 200mA
Tensione - inversa (Vr) (max):50V
Contenitore dispositivo fornitore:DO-35
Velocità:Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Serie:-
Tempo di ripristino inverso (trr):6ns
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:DO-204AH, DO-35, Axial
Temperatura di funzionamento - Giunzione:-65°C ~ 200°C
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
codice articolo del costruttore:1N4150 TR
Descrizione espansione:Diode Standard 50V 200mA Through Hole DO-35
Tipo diodo:Standard
Descrizione:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
Corrente - Dispersione inversa a Vr:100nA @ 50V
Corrente - raddrizzata media (Io):200mA
Capacità a Vr, F:2.5pF @ 0V, 1MHz
Email:[email protected]

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