1N5186US
1N5186US
Modello di prodotti:
1N5186US
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
18577 Pieces
Scheda dati:
1N5186US.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - diretta (Vf) (max) a If:1.5V @ 9A
Tensione - inversa (Vr) (max):100V
Contenitore dispositivo fornitore:-
Velocità:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:-
Tempo di ripristino inverso (trr):150ns
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:B, Axial
Temperatura di funzionamento - Giunzione:-65°C ~ 175°C
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:1N5186US
Descrizione espansione:Diode Standard 100V 3A Through Hole
Tipo diodo:Standard
Descrizione:DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
Corrente - Dispersione inversa a Vr:2µA @ 100V
Corrente - raddrizzata media (Io):3A
Capacità a Vr, F:-
Email:[email protected]

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