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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > 1N5408
1N5408
1N5408
Modello di prodotti:
1N5408
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
16542 Pieces
Scheda dati:
1N5408.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Tensione - diretta (Vf) (max) a If:1V @ 3A
Tensione - inversa (Vr) (max):1000V (1kV)
Contenitore dispositivo fornitore:DO-201AD
Velocità:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie:-
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:DO-201AA, DO-27, Axial
Altri nomi:1N5408OS
Temperatura di funzionamento - Giunzione:-65°C ~ 170°C
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:1N5408
Descrizione espansione:Diode Standard 1000V (1kV) 3A Through Hole DO-201AD
Tipo diodo:Standard
Descrizione:DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
Corrente - Dispersione inversa a Vr:10µA @ 1000V
Corrente - raddrizzata media (Io):3A
Capacità a Vr, F:-
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
1N5406 Image 1N5406 ON Semiconductor DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD Inchiesta
1N5408RLG Image 1N5408RLG ON Semiconductor DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD Inchiesta
1N5400RL Image 1N5400RL ON Semiconductor DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD Inchiesta
1N5400G Image 1N5400G ON Semiconductor DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD Inchiesta
1N5402RLG Image 1N5402RLG ON Semiconductor DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD Inchiesta
1N5404 Image 1N5404 ON Semiconductor DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD Inchiesta
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1N5406RLG Image 1N5406RLG ON Semiconductor DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD Inchiesta
1N5401 Image 1N5401 ON Semiconductor DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL Inchiesta
1N5406RL Image 1N5406RL ON Semiconductor DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD Inchiesta
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