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1N5809US
- Modello di prodotti:
- 1N5809US
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 13061 Pieces
- Scheda dati:
- 1N5809US.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 875mV @ 4A |
|---|---|
| Tensione - inversa (Vr) (max): | 100V |
| Contenitore dispositivo fornitore: | B, SQ-MELF |
| Velocità: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tempo di ripristino inverso (trr): | 30ns |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | SQ-MELF, B |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | -65°C ~ 175°C |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 7 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | 1N5809US |
| Descrizione espansione: | Diode Standard 100V 3A Surface Mount B, SQ-MELF |
| Tipo diodo: | Standard |
| Descrizione: | DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 5µA @ 100V |
| Corrente - raddrizzata media (Io): | 3A |
| Capacità a Vr, F: | 60pF @ 10V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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