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1N6076US
- Modello di prodotti:
- 1N6076US
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- DIODE GEN PURP 50V 6A D5B
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 14807 Pieces
- Scheda dati:
- 1N6076US.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 1.76V @ 18.8A |
|---|---|
| Tensione - inversa (Vr) (max): | 50V |
| Contenitore dispositivo fornitore: | D-5B |
| Velocità: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tempo di ripristino inverso (trr): | 30ns |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | SQ-MELF, E |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | -65°C ~ 155°C |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | 1N6076US |
| Descrizione espansione: | Diode Standard 50V 6A Surface Mount D-5B |
| Tipo diodo: | Standard |
| Descrizione: | DIODE GEN PURP 50V 6A D5B |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 5µA @ 50V |
| Corrente - raddrizzata media (Io): | 6A |
| Capacità a Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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