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20ETF12S
- Modello di prodotti:
- 20ETF12S
- fabbricante:
- Vishay / Semiconductor - Diodes Division
- Descrizione:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 20A D2PAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 14790 Pieces
- Scheda dati:
- 20ETF12S.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per 20ETF12S, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per 20ETF12S via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 1.31V @ 20A |
|---|---|
| Tensione - inversa (Vr) (max): | 1200V (1.2kV) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | D2PAK |
| Velocità: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tempo di ripristino inverso (trr): | 400ns |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi: | *20ETF12S VS-20ETF12S VS-20ETF12S-ND VS20ETF12S VS20ETF12S-ND |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | -40°C ~ 150°C |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | 20ETF12S |
| Descrizione espansione: | Diode Standard 1200V (1.2kV) 20A Surface Mount D2PAK |
| Tipo diodo: | Standard |
| Descrizione: | DIODE GEN PURP 1.2KV 20A D2PAK |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 100µA @ 1200V |
| Corrente - raddrizzata media (Io): | 20A |
| Capacità a Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per 20ETF12S
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