2N6661-E3
2N6661-E3
Modello di prodotti:
2N6661-E3
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13852 Pieces
Scheda dati:
2N6661-E3.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-39
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:4 Ohm @ 1A, 10V
Dissipazione di potenza (max):725mW (Ta), 6.25W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
codice articolo del costruttore:2N6661-E3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:50pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 90V 860mA (Tc) 725mW (Ta), 6.25W (Tc) Through Hole TO-39
Tensione drain-source (Vdss):90V
Descrizione:MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:860mA (Tc)
Email:[email protected]

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