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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > 2N7002-7
2N7002-7
2N7002-7
Modello di prodotti:
2N7002-7
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
14974 Pieces
Scheda dati:
2N7002-7.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-23-3
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:7.5 Ohm @ 50mA, 5V
Dissipazione di potenza (max):370mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi:2N7002DI
2N7002DITR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:2N7002-7
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:50pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 115mA (Ta) 370mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:115mA (Ta)
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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