Acquistare 2N7638-GA con BYCHPS
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Vgs (th) (max) a Id: | - |
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Tecnologia: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Contenitore dispositivo fornitore: | TO-276 |
Serie: | - |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 170 mOhm @ 8A |
Dissipazione di potenza (max): | 200W (Tc) |
imballaggio: | Bulk |
Contenitore / involucro: | TO-276AA |
Altri nomi: | 1242-1149 |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 225°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Surface Mount |
Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard: | 18 Weeks |
codice articolo del costruttore: | 2N7638-GA |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 720pF @ 35V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
Tipo FET: | - |
Caratteristica FET: | - |
Descrizione espansione: | 650V 8A (Tc) (158°C) 200W (Tc) Surface Mount TO-276 |
Tensione drain-source (Vdss): | 650V |
Descrizione: | TRANS SJT 650V 8A TO276 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 8A (Tc) (158°C) |
Email: | [email protected] |