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2SA1930(Q,M)
- Modello di prodotti:
- 2SA1930(Q,M)
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrizione:
- TRANS PNP 180V 2A TO220NIS
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14873 Pieces
- Scheda dati:
- 2SA1930(Q,M).pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 180V |
|---|---|
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 1V @ 100mA, 1A |
| Tipo transistor: | PNP |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220NIS |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 2W |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 Full Pack |
| Altri nomi: | 2SA1930(Q,M)-ND 2SA1930QM |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | 2SA1930(Q,M) |
| Frequenza - transizione: | 200MHz |
| Descrizione espansione: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 180V 2A 200MHz 2W Through Hole TO-220NIS |
| Descrizione: | TRANS PNP 180V 2A TO220NIS |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 100 @ 100mA, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 5µA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 2A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per 2SA1930(Q,M)
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