2SB1215T-E
2SB1215T-E
Modello di prodotti:
2SB1215T-E
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
TRANS PNP 100V 3A TP
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19087 Pieces
Scheda dati:
2SB1215T-E.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):100V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:500mV @ 150mA, 1.5A
Tipo transistor:PNP
Contenitore dispositivo fornitore:TP
Serie:-
Potenza - Max:1W
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:2 Weeks
codice articolo del costruttore:2SB1215T-E
Frequenza - transizione:130MHz
Descrizione espansione:Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 3A 130MHz 1W Through Hole TP
Descrizione:TRANS PNP 100V 3A TP
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:200 @ 500mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):1µA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max):3A
Email:[email protected]

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