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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > 2SC2235(T6KMAT,F,M
2SC2235(T6KMAT,F,M
2SC2235(T6KMAT,F,M
Modello di prodotti:
2SC2235(T6KMAT,F,M
fabbricante:
Toshiba Semiconductor
Descrizione:
TRANS NPN 800MA 120V TO226-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13541 Pieces
Scheda dati:
2SC2235(T6KMAT,F,M.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):120V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:1V @ 50mA, 500mA
Tipo transistor:NPN
Contenitore dispositivo fornitore:TO-92MOD
Serie:-
Potenza - Max:900mW
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Altri nomi:2SC2235(T6KMATFM
2SC2235T6KMATFM
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:2SC2235(T6KMAT,F,M
Frequenza - transizione:120MHz
Descrizione espansione:Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
Descrizione:TRANS NPN 800MA 120V TO226-3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:80 @ 100mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max):800mA
Email:[email protected]

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