2SD1221-Y(Q)
Modello di prodotti:
2SD1221-Y(Q)
fabbricante:
Toshiba Semiconductor
Descrizione:
TRANS NPN 60V 3A PW MOLD
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19609 Pieces
Scheda dati:
2SD1221-Y(Q).pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):60V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:1V @ 300mA, 3A
Tipo transistor:NPN
Contenitore dispositivo fornitore:PW-MOLD
Serie:-
Potenza - Max:1W
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:2SD1221-Y(Q)
Frequenza - transizione:3MHz
Descrizione espansione:Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 3A 3MHz 1W Surface Mount PW-MOLD
Descrizione:TRANS NPN 60V 3A PW MOLD
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:100 @ 500mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):100µA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max):3A
Email:[email protected]

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