2SD2695,T6F(M
2SD2695,T6F(M
Modello di prodotti:
2SD2695,T6F(M
fabbricante:
Toshiba Semiconductor
Descrizione:
TRANS NPN 2A 60V TO226-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12792 Pieces
Scheda dati:
2SD2695,T6F(M.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):60V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:1.5V @ 1mA, 1A
Tipo transistor:NPN
Contenitore dispositivo fornitore:TO-92MOD
Serie:-
Potenza - Max:900mW
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Altri nomi:2SD2695T6F(M
2SD2695T6FM
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:2SD2695,T6F(M
Frequenza - transizione:100MHz
Descrizione espansione:Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 2A 100MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
Descrizione:TRANS NPN 2A 60V TO226-3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:2000 @ 1A, 2V
Corrente - Cutoff collettore (max):10µA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max):2A
Email:[email protected]

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