Acquistare 2SK3075(TE12L,Q) con BYCHPS
Acquista con garanzia
2SK3075(TE12L,Q)
- Modello di prodotti:
- 2SK3075(TE12L,Q)
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrizione:
- MOSF RF N CH 30V 5A PW-X
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16580 Pieces
- Scheda dati:
- 2SK3075(TE12L,Q).pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per 2SK3075(TE12L,Q), abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per 2SK3075(TE12L,Q) via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Tensione - Prova: | 9.6V |
|---|---|
| Tensione - nominale: | 30V |
| Tipo transistor: | N-Channel |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PW-X |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | 7.5W |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | TO-271AA |
| Altri nomi: | 2SK3075(TE12LQ)CT |
| Figura di rumore: | - |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | 2SK3075(TE12L,Q) |
| Guadagno: | 11.7dB |
| Frequenza: | 520MHz |
| Descrizione espansione: | RF Mosfet N-Channel 9.6V 50mA 520MHz 11.7dB 7.5W PW-X |
| Descrizione: | MOSF RF N CH 30V 5A PW-X |
| Valutazione attuale: | 5A |
| Corrente - Test: | 50mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per 2SK3075(TE12L,Q)
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
2SK3078A(TE12L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | FET RF N-CH 10V 470 MHZ PW-MINI | Inchiesta |
 |
PTFA142401ELV4XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 240W H-33288-2 | Inchiesta |
 |
MRF8P20165WHR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780-4 | Inchiesta |
 |
PD85035STR1-E | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | Inchiesta |
|
2SK3074TE12LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSF RF N CH 30V 1A PW-MINI | Inchiesta |
 |
2SK3079ATE12LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSF RF N CH 10V PW-X | Inchiesta |
 |
PTFA091201EV4R0XTMA1 | Infineon Technologies | RF MOSFET LDMOS 28V H-36248-2 | Inchiesta |
 |
2SK4037(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH PW-X | Inchiesta |
 |
MRF5S9150HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 880MHZ NI-780S | Inchiesta |
 |
2SK3068(TE24L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 500V 12A TO220SM | Inchiesta |
|
PTFB090901FAV2R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS H-37265-2 | Inchiesta |
Latest Notizie
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers