2SK4099LS-1E
2SK4099LS-1E
Modello di prodotti:
2SK4099LS-1E
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 8.5A
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16194 Pieces
Scheda dati:
2SK4099LS-1E.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:-
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220F-3FS
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:940 mOhm @ 4A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2W (Ta), 35W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3 Full Pack
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:2SK4099LS-1E
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:750pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:29nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 6.9A (Tc) 2W (Ta), 35W (Tc) Through Hole TO-220F-3FS
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 8.5A
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:6.9A (Tc)
Email:[email protected]

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