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2SK4177-DL-1E
2SK4177-DL-1E
Modello di prodotti:
2SK4177-DL-1E
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 1500V 2A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13567 Pieces
Scheda dati:
2SK4177-DL-1E.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:-
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-263-2
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:13 Ohm @ 1A, 10V
Dissipazione di potenza (max):80W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:2SK4177-DL-1E-ND
2SK4177-DL-1EOSTR
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:23 Weeks
codice articolo del costruttore:2SK4177-DL-1E
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:380pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:37.5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 1500V (1.5kV) 2A (Ta) 80W (Tc) Surface Mount TO-263-2
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):1500V (1.5kV)
Descrizione:MOSFET N-CH 1500V 2A DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2A (Ta)
Email:[email protected]

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