70V657S12DRI
70V657S12DRI
Modello di prodotti:
70V657S12DRI
fabbricante:
IDT (Integrated Device Technology)
Descrizione:
IC SRAM 1.125MBIT 12NS 208QFP
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
12079 Pieces
Scheda dati:
1.70V657S12DRI.pdf2.70V657S12DRI.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione di alimentazione -:3.15 V ~ 3.45 V
Contenitore dispositivo fornitore:208-PQFP (28x28)
Velocità:12ns
Serie:-
imballaggio:Tray
Contenitore / involucro:208-BFQFP
Altri nomi:800-2318
IDT70V657S12DRI
IDT70V657S12DRI-ND
temperatura di esercizio:-40°C ~ 85°C (TA)
Livello di sensibilità umidità (MSL):3 (168 Hours)
Tipo di memoria:Volatile
Dimensione della memoria:1.125Mb (32K x 36)
Formato di memoria:SRAM
Produttore tempi di consegna standard:7 Weeks
codice articolo del costruttore:70V657S12DRI
Interfaccia:Parallel
Descrizione:IC SRAM 1.125MBIT 12NS 208QFP
Email:[email protected]

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