Acquistare A2I08H040GNR1 con BYCHPS
Acquista con garanzia
A2I08H040GNR1
- Modello di prodotti:
- A2I08H040GNR1
- fabbricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrizione:
- IC RF LDMOS AMP
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18222 Pieces
- Scheda dati:
- A2I08H040GNR1.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per A2I08H040GNR1, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per A2I08H040GNR1 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Tensione - Prova: | 28V |
|---|---|
| Tensione - nominale: | 65V |
| Tipo transistor: | LDMOS (Dual) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-270WBG-15 |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | 9W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-270-15 Variant, Gull Wing |
| Altri nomi: | 935320823528 |
| Figura di rumore: | - |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | A2I08H040GNR1 |
| Guadagno: | 30.7dB |
| Frequenza: | 920MHz |
| Descrizione espansione: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 25mA 920MHz 30.7dB 9W TO-270WBG-15 |
| Descrizione: | IC RF LDMOS AMP |
| Valutazione attuale: | - |
| Corrente - Test: | 25mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per A2I08H040GNR1
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
PTFB193408SVV1XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS H-34275G-6/2 | Inchiesta |
 |
BLF2425M7L250P,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 15DB SOT539A | Inchiesta |
 |
BLF878,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 89V 21DB SOT979A | Inchiesta |
 |
BLF6G27-135,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V SOT502A | Inchiesta |
 |
NE3514S02-T1C-A | CEL | HJ-FET NCH 10DB S02 | Inchiesta |
 |
A2I08H040NR1 | NXP USA Inc. | IC RF LDMOS AMP | Inchiesta |
 |
MRF6V13250HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 120V 1.3GHZ NI780S | Inchiesta |
|
MRF9045LSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 945MHZ NI-360S | Inchiesta |
|
PTRA093302DC V1 R250 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS 330W H-49248H-4 | Inchiesta |
 |
NE3515S02-T1D-A | CEL | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 | Inchiesta |
|
PTFC270051MV2R1KXUMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | Inchiesta |
 |
BLF647P,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121A | Inchiesta |
Latest Notizie
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers