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A2T18S160W31GSR3
- Modello di prodotti:
- A2T18S160W31GSR3
- fabbricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrizione:
- IC TRANS RF LDMOS
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13394 Pieces
- Scheda dati:
- 1.A2T18S160W31GSR3.pdf2.A2T18S160W31GSR3.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - Prova: | 28V |
|---|---|
| Tensione - nominale: | 65V |
| Tipo transistor: | LDMOS |
| Contenitore dispositivo fornitore: | NI-780GS-2L2LA |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | 32W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | NI-780GS-2L2LA |
| Altri nomi: | 935312705128 |
| Figura di rumore: | - |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | A2T18S160W31GSR3 |
| Guadagno: | 19.9dB |
| Frequenza: | 1.88GHz |
| Descrizione espansione: | RF Mosfet LDMOS 28V 1A 1.88GHz 19.9dB 32W NI-780GS-2L2LA |
| Descrizione: | IC TRANS RF LDMOS |
| Valutazione attuale: | - |
| Corrente - Test: | 1A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per A2T18S160W31GSR3
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
A2T18S160W31SR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | Inchiesta |
|
A2T18H100-25SR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1.81GHZ | Inchiesta |
|
A2T18H450W19SR6 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | Inchiesta |
 |
BLF404,115 | Ampleon USA Inc. | RF FET NCHA 40V 11.5DB SOT409A | Inchiesta |
|
A2T18H410-24SR6 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | Inchiesta |
|
A2T18S162W31GSR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | Inchiesta |
|
A2T18S162W31SR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | Inchiesta |
 |
MRF5S9100NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 880MHZ TO-270-4 | Inchiesta |
 |
SD57060 | STMicroelectronics | FET RF 65V 945MHZ M243 | Inchiesta |
|
A2T18H160-24SR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | Inchiesta |
 |
MRF5S9101MBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 960MHZ TO2724 | Inchiesta |
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