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AFT09S200W02GNR3
- Modello di prodotti:
- AFT09S200W02GNR3
- fabbricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrizione:
- FET RF 70V 960MHZ PLD
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12225 Pieces
- Scheda dati:
- AFT09S200W02GNR3.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - Prova: | 28V |
|---|---|
| Tensione - nominale: | 70V |
| Tipo transistor: | LDMOS |
| Contenitore dispositivo fornitore: | OM-780-2 |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | 56W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | OM-780-2 |
| Altri nomi: | 935320369528 |
| Figura di rumore: | - |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | AFT09S200W02GNR3 |
| Guadagno: | 19.2dB |
| Frequenza: | 960MHz |
| Descrizione espansione: | RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 960MHz 19.2dB 56W OM-780-2 |
| Descrizione: | FET RF 70V 960MHZ PLD |
| Valutazione attuale: | - |
| Corrente - Test: | 1.4A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per AFT09S200W02GNR3
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
AFT09S200W02NR3 | NXP USA Inc. | FET RF 70V 960MHZ PLD | Inchiesta |
 |
AFT09MP055GNR1 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 40V 870MHZ TO-270 | Inchiesta |
 |
AFT09MP055NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 40V 870MHZ TO-270 | Inchiesta |
|
AFT09S200W02SR3 | NXP USA Inc. | TRANSISTOR RF LDMOS 4W PLD | Inchiesta |
|
AFT09H310-03SR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 70V 920MHZ NI1230S-4S | Inchiesta |
|
AFT09MS031GNR1 | NXP USA Inc. | FET RF 40V 870MHZ TO270-2G | Inchiesta |
|
AFT09S220-02NR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | Inchiesta |
|
AFT09S282NR3 | NXP USA Inc. | FET RF 70V 960MHZ OM-780-2 | Inchiesta |
 |
AFT09MS007NT1 | NXP USA Inc. | FET RF 30V 870MHZ PLD1.5W | Inchiesta |
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