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ALD1101BPAL
- Modello di prodotti:
- ALD1101BPAL
- fabbricante:
- Advanced Linear Devices, Inc.
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13446 Pieces
- Scheda dati:
- ALD1101BPAL.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 10µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-PDIP |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 75 Ohm @ 5V |
| Potenza - Max: | 500mW |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| temperatura di esercizio: | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | ALD1101BPAL |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| Caratteristica FET: | Standard |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 500mW Through Hole 8-PDIP |
| Tensione drain-source (Vdss): | 10.6V |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
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