AON6508_101
Modello di prodotti:
AON6508_101
fabbricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione:
MOSFET N-CH DFN
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19733 Pieces
Scheda dati:
AON6508_101.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.2V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-DFN (5x6)
Serie:AlphaMOS
Rds On (max) a Id, Vgs:3.2 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max):4.2W (Ta), 41W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-VDFN Exposed Pad
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:AON6508_101
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2010pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:49nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 29A (Ta), 32A (Tc) 4.2W (Ta), 41W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH DFN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:29A (Ta), 32A (Tc)
Email:[email protected]

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