AOT20S60L
Modello di prodotti:
AOT20S60L
fabbricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 20A TO220
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19258 Pieces
Scheda dati:
1.AOT20S60L.pdf2.AOT20S60L.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4.1V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220
Serie:aMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:199 mOhm @ 10A, 10V
Dissipazione di potenza (max):266W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:785-1251-5
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:AOT20S60L
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1038pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:19.8nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 20A (Tc) 266W (Tc) Through Hole TO-220
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 20A TO220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:20A (Tc)
Email:[email protected]

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