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AOT8N65
- Modello di prodotti:
- AOT8N65
- fabbricante:
- Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 650V 8A TO220
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14866 Pieces
- Scheda dati:
- 1.AOT8N65.pdf2.AOT8N65.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per AOT8N65, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per AOT8N65 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 1.15 Ohm @ 4A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 208W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 16 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | AOT8N65 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1400pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 28nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 650V 8A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 650V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 650V 8A TO220 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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