AOTF10N60L_002
AOTF10N60L_002
Modello di prodotti:
AOTF10N60L_002
fabbricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12795 Pieces
Scheda dati:
AOTF10N60L_002.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220-3F
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:750 mOhm @ 5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):50W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3 Full Pack
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:AOTF10N60L_002
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1600pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:40nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 10A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220-3F
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

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