AOW10T60P
AOW10T60P
Modello di prodotti:
AOW10T60P
fabbricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 10A 5DFB
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12219 Pieces
Scheda dati:
1.AOW10T60P.pdf2.AOW10T60P.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-262
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:700 mOhm @ 5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):208W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Altri nomi:785-1654-5
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:AOW10T60P
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1595pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:40nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 10A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-262
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 10A 5DFB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

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