APL502B2G
APL502B2G
Modello di prodotti:
APL502B2G
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17152 Pieces
Scheda dati:
1.APL502B2G.pdf2.APL502B2G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 2.5mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:T-MAX™ [B2]
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:90 mOhm @ 29A, 12V
Dissipazione di potenza (max):730W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3 Variant
Altri nomi:APL502B2GMI
APL502B2GMI-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:22 Weeks
codice articolo del costruttore:APL502B2G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:9000pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 500V 58A (Tc) 730W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):15V
Tensione drain-source (Vdss):500V
Descrizione:MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:58A (Tc)
Email:[email protected]

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