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APT10M11B2VFRG
- Modello di prodotti:
- APT10M11B2VFRG
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16560 Pieces
- Scheda dati:
- APT10M11B2VFRG.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 2.5mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | T-MAX™ |
| Serie: | POWER MOS V® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 11 mOhm @ 500mA, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 520W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 Variant |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | APT10M11B2VFRG |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 10300pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 450nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 100V 100A (Tc) 520W (Tc) Through Hole T-MAX™ |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APT10M11B2VFRG
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