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APT11N80BC3G
- Modello di prodotti:
- APT11N80BC3G
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19160 Pieces
- Scheda dati:
- 1.APT11N80BC3G.pdf2.APT11N80BC3G.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.9V @ 680µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-247 [B] |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 450 mOhm @ 7.1A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 156W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 |
| Altri nomi: | APT11N80BC3GMI APT11N80BC3GMI-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 22 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | APT11N80BC3G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1585pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 60nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 800V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-247 [B] |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 800V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 11A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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