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APT25SM120S
- Modello di prodotti:
- APT25SM120S
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- POWER MOSFET - SIC
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12584 Pieces
- Scheda dati:
- APT25SM120S.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per APT25SM120S, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per APT25SM120S via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnologia: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | D3 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 175 mOhm @ 10A, 20V |
| Dissipazione di potenza (max): | 175W (Tc) |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | D-3 Module |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Chassis Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 22 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | APT25SM120S |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 72nC @ 20V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 1200V (1.2kV) 25A (Tc) 175W (Tc) Chassis Mount D3 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| Descrizione: | POWER MOSFET - SIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 25A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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