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APT33GF120LRDQ2G
- Modello di prodotti:
- APT33GF120LRDQ2G
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- IGBT 1200V 64A 357W TO264
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13373 Pieces
- Scheda dati:
- APT33GF120LRDQ2G.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 1200V |
|---|---|
| Vce (on) (max) a VGE, Ic: | 3V @ 15V, 25A |
| Condizione di test: | 800V, 25A, 4.3 Ohm, 15V |
| Td (on / off) @ 25 ° C: | 14ns/185ns |
| di scambio energetico: | 1.315mJ (on), 1.515mJ (off) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-264 [L] |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 357W |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-264-3, TO-264AA |
| Altri nomi: | APT33GF120LRDQ2GMI APT33GF120LRDQ2GMI-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | APT33GF120LRDQ2G |
| Tipo di ingresso: | Standard |
| Tipo IGBT: | NPT |
| carica gate: | 170nC |
| Descrizione espansione: | IGBT NPT 1200V 64A 357W Through Hole TO-264 [L] |
| Descrizione: | IGBT 1200V 64A 357W TO264 |
| Corrente - collettore Pulsed (Icm): | 75A |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 64A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APT33GF120LRDQ2G
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
STGW35HF60W | STMicroelectronics | IGBT 600V 60A 200W TO247 | Inchiesta |
 |
IXBH14N250A | IXYS | IGBT 2500V TO247AD | Inchiesta |
|
IXGH40N60A3D1 | IXYS | IGBT 600V TO-247 | Inchiesta |
|
IXXH40N65B4H1 | IXYS | IGBT 650V 120A 455W TO247AD | Inchiesta |
 |
APT33GF120BRG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 52A 297W TO247 | Inchiesta |
 |
APT33N90JCU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | Inchiesta |
|
IXGH30N60B | IXYS | IGBT 600V 60A 200W TO247AD | Inchiesta |
 |
APT33GF120B2RDQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 64A 357W TMAX | Inchiesta |
 |
RJH60F0DPK-00#T0 | Renesas Electronics America | IGBT 600V 50A 201.6W TO-3P | Inchiesta |
|
IXGH30N120C3H1 | IXYS | IGBT 1200V 48A 250W TO247AD | Inchiesta |
|
APT33N90JCCU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | Inchiesta |
|
APT33N90JCU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | Inchiesta |
|
APT33N90JCCU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | Inchiesta |
 |
IRGIB4630DPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 47A 206W TO220 | Inchiesta |
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