APT35GP120B2DQ2G
APT35GP120B2DQ2G
Modello di prodotti:
APT35GP120B2DQ2G
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
IGBT 1200V 96A 543W TMAX
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13756 Pieces
Scheda dati:
1.APT35GP120B2DQ2G.pdf2.APT35GP120B2DQ2G.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):1200V
Vce (on) (max) a VGE, Ic:3.9V @ 15V, 35A
Condizione di test:600V, 35A, 4.3 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C:16ns/95ns
di scambio energetico:750µJ (on), 680µJ (off)
Serie:POWER MOS 7®
Potenza - Max:543W
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3 Variant
Altri nomi:APT35GP120B2DQ2GMI
APT35GP120B2DQ2GMI-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:22 Weeks
codice articolo del costruttore:APT35GP120B2DQ2G
Tipo di ingresso:Standard
Tipo IGBT:PT
carica gate:150nC
Descrizione espansione:IGBT PT 1200V 96A 543W Through Hole
Descrizione:IGBT 1200V 96A 543W TMAX
Corrente - collettore Pulsed (Icm):140A
Corrente - collettore (Ic) (max):96A
Email:[email protected]

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