APT40GP60B2DQ2G
APT40GP60B2DQ2G
Modello di prodotti:
APT40GP60B2DQ2G
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
IGBT 600V 100A 543W TMAX
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15548 Pieces
Scheda dati:
APT40GP60B2DQ2G.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):600V
Vce (on) (max) a VGE, Ic:2.7V @ 15V, 40A
Condizione di test:400V, 40A, 5 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C:20ns/64ns
di scambio energetico:385µJ (on), 350µJ (off)
Serie:POWER MOS 7®
Potenza - Max:543W
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3 Variant
Altri nomi:APT40GP60B2DQ2GMP
APT40GP60B2DQ2GMP-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:APT40GP60B2DQ2G
Tipo di ingresso:Standard
Tipo IGBT:PT
carica gate:135nC
Descrizione espansione:IGBT PT 600V 100A 543W Through Hole
Descrizione:IGBT 600V 100A 543W TMAX
Corrente - collettore Pulsed (Icm):160A
Corrente - collettore (Ic) (max):100A
Email:[email protected]

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