APT50M65B2LLG
APT50M65B2LLG
Modello di prodotti:
APT50M65B2LLG
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12083 Pieces
Scheda dati:
1.APT50M65B2LLG.pdf2.APT50M65B2LLG.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 2.5mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:T-MAX™ [B2]
Serie:POWER MOS 7®
Rds On (max) a Id, Vgs:65 mOhm @ 33.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):694W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3 Variant
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:APT50M65B2LLG
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:7010pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:141nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 500V 67A (Tc) 694W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):500V
Descrizione:MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:67A (Tc)
Email:[email protected]

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