APT6030BN
Modello di prodotti:
APT6030BN
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15793 Pieces
Scheda dati:
APT6030BN.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-247AD
Serie:POWER MOS IV®
Rds On (max) a Id, Vgs:300 mOhm @ 11.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):360W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:APT6030BN
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3500pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:210nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 23A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247AD
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:23A (Tc)
Email:[email protected]

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