APT75GP120B2G
APT75GP120B2G
Modello di prodotti:
APT75GP120B2G
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
IGBT 1200V 100A 1042W TMAX
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16181 Pieces
Scheda dati:
1.APT75GP120B2G.pdf2.APT75GP120B2G.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):1200V
Vce (on) (max) a VGE, Ic:3.9V @ 15V, 75A
Condizione di test:600V, 75A, 5 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C:20ns/163ns
di scambio energetico:1620µJ (on), 2500µJ (off)
Serie:POWER MOS 7®
Potenza - Max:1042W
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3 Variant
Altri nomi:APT75GP120B2GMI
APT75GP120B2GMI-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:22 Weeks
codice articolo del costruttore:APT75GP120B2G
Tipo di ingresso:Standard
Tipo IGBT:PT
carica gate:320nC
Descrizione espansione:IGBT PT 1200V 100A 1042W Through Hole
Descrizione:IGBT 1200V 100A 1042W TMAX
Corrente - collettore Pulsed (Icm):300A
Corrente - collettore (Ic) (max):100A
Email:[email protected]

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