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APTDF200H100G
- Modello di prodotti:
- APTDF200H100G
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- DIODE MODULE FULL BRIDGE SP6
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19806 Pieces
- Scheda dati:
- 1.APTDF200H100G.pdf2.APTDF200H100G.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - Picco inversa (max): | 1000V |
|---|---|
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 2.7V @ 200A |
| Tecnologia: | Standard |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SP6 |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | SP6 |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Chassis Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 22 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | APTDF200H100G |
| Descrizione espansione: | Bridge Rectifier Single Phase 1000V 255A Chassis Mount SP6 |
| Tipo diodo: | Single Phase |
| Descrizione: | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP6 |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 100µA @ 1000V |
| Corrente - raddrizzata media (Io): | 255A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APTDF200H100G
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
APTDF200H60G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP6 | Inchiesta |
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APTDF200H20G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP6 | Inchiesta |
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APTDF200H120G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP6 | Inchiesta |
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APTDF200H170G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP6 | Inchiesta |
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APTDF400AA170G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE 1.7KV 480A SP6 | Inchiesta |
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APTDF60H1201G | Microsemi Corporation | POWER MOD DIO FULL BRIDGE SP1 | Inchiesta |
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APTDF400AA120G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE 1.2KV 470A SP6 | Inchiesta |
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APTDF400AA100G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE 1KV 500A SP6 | Inchiesta |
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APTDF30H1201G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP1 | Inchiesta |
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