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APTGT75DA120D1G
- Modello di prodotti:
- APTGT75DA120D1G
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- IGBT 1200V 110A 357W D1
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12172 Pieces
- Scheda dati:
- APTGT75DA120D1G.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 1200V |
|---|---|
| Vce (on) (max) a VGE, Ic: | 2.1V @ 15V, 75A |
| Contenitore dispositivo fornitore: | D1 |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 357W |
| Contenitore / involucro: | D1 |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Termistore NTC: | No |
| Tipo montaggio: | Chassis Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | APTGT75DA120D1G |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: | 5345nF @ 25V |
| Ingresso: | Standard |
| Tipo IGBT: | Trench Field Stop |
| Descrizione espansione: | IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 110A 357W Chassis Mount D1 |
| Descrizione: | IGBT 1200V 110A 357W D1 |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 4mA |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 110A |
| Configurazione: | Single |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APTGT75DA120D1G
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