APTM120DA29TG
Modello di prodotti:
APTM120DA29TG
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOSFET N-CH 1200V 34A SP4
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17476 Pieces
Scheda dati:
APTM120DA29TG.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 5mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SP4
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:348 mOhm @ 17A, 10V
Dissipazione di potenza (max):780W (Tc)
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:SP4
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Chassis Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:APTM120DA29TG
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:10300pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:374nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 1200V (1.2kV) 34A 780W (Tc) Chassis Mount SP4
Tensione drain-source (Vdss):1200V (1.2kV)
Descrizione:MOSFET N-CH 1200V 34A SP4
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:34A
Email:[email protected]

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