APTM20DHM10G
Modello di prodotti:
APTM20DHM10G
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 200V 175A SP6
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14341 Pieces
Scheda dati:
APTM20DHM10G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 5mA
Contenitore dispositivo fornitore:SP6
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:12 mOhm @ 87.5A, 10V
Potenza - Max:694W
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:SP6
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Chassis Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:APTM20DHM10G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:13700pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:224nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Caratteristica FET:Standard
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 200V 175A 694W Chassis Mount SP6
Tensione drain-source (Vdss):200V
Descrizione:MOSFET 2N-CH 200V 175A SP6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:175A
Email:[email protected]

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