Acquistare APTM60A23FT1G con BYCHPS
Acquista con garanzia
Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 1mA |
---|---|
Contenitore dispositivo fornitore: | SP1 |
Serie: | - |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 276 mOhm @ 17A, 10V |
Potenza - Max: | 208W |
imballaggio: | Bulk |
Contenitore / involucro: | SP1 |
Altri nomi: | APTM60A23UT1G APTM60A23UT1G-ND |
temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Chassis Mount |
Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
codice articolo del costruttore: | APTM60A23FT1G |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 5316pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 165nC @ 10V |
Tipo FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Caratteristica FET: | Standard |
Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 20A 208W Chassis Mount SP1 |
Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
Descrizione: | MOSFET 2N-CH 600V 20A SP1 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 20A |
Email: | [email protected] |