APTML1002U60R020T3AG
Modello di prodotti:
APTML1002U60R020T3AG
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 1000V 20A SP3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18879 Pieces
Scheda dati:
APTML1002U60R020T3AG.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 2.5mA
Contenitore dispositivo fornitore:SP3
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:720 mOhm @ 10A, 10V
Potenza - Max:520W
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:SP3
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Chassis Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:22 Weeks
codice articolo del costruttore:APTML1002U60R020T3AG
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:6000pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Standard
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1000V (1kV) 20A 520W Chassis Mount SP3
Tensione drain-source (Vdss):1000V (1kV)
Descrizione:MOSFET 2N-CH 1000V 20A SP3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:20A
Email:[email protected]

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