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BC517ZL1G
- Modello di prodotti:
- BC517ZL1G
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- TRANS NPN DARL 30V 1A TO-92
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19993 Pieces
- Scheda dati:
- BC517ZL1G.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 30V |
|---|---|
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 1V @ 100µA, 100mA |
| Tipo transistor: | NPN - Darlington |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-92-3 |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 625mW |
| imballaggio: | Tape & Box (TB) |
| Contenitore / involucro: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | BC517ZL1G |
| Frequenza - transizione: | 200MHz |
| Descrizione espansione: | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 30V 1A 200MHz 625mW Through Hole TO-92-3 |
| Descrizione: | TRANS NPN DARL 30V 1A TO-92 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 30000 @ 20mA, 2V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 500nA |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 1A |
| Email: | [email protected] |
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