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BD809G
- Modello di prodotti:
- BD809G
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- TRANS NPN 80V 10A TO-220AB
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14284 Pieces
- Scheda dati:
- BD809G.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 80V |
|---|---|
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 1.1V @ 300mA, 3A |
| Tipo transistor: | NPN |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220AB |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 90W |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 |
| Altri nomi: | BD809G-ND BD809GOS |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 2 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | BD809G |
| Frequenza - transizione: | 1.5MHz |
| Descrizione espansione: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 10A 1.5MHz 90W Through Hole TO-220AB |
| Descrizione: | TRANS NPN 80V 10A TO-220AB |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 15 @ 4A, 2V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 1mA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 10A |
| Email: | [email protected] |
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