BDV65A
Modello di prodotti:
BDV65A
fabbricante:
Central Semiconductor
Descrizione:
POWER TRANSISTOR NPN TO218
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
16511 Pieces
Scheda dati:
BDV65A.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):80V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:-
Tipo transistor:NPN
Contenitore dispositivo fornitore:TO-218
Serie:-
Potenza - Max:125W
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:TO-218-3
temperatura di esercizio:-
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:BDV65A
Frequenza - transizione:60MHz
Descrizione espansione:Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 12A 60MHz 125W Through Hole TO-218
Descrizione:POWER TRANSISTOR NPN TO218
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:1000 @ 5A, 4V
Corrente - Cutoff collettore (max):-
Corrente - collettore (Ic) (max):12A
Email:[email protected]

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