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BF545B,215
- Modello di prodotti:
- BF545B,215
- fabbricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrizione:
- JFET N-CH 30V 15MA SOT23
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14272 Pieces
- Scheda dati:
- BF545B,215.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - Prova: | - |
|---|---|
| Tensione - nominale: | 30V |
| Tipo transistor: | N-Channel JFET |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-236AB (SOT23) |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | - |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Altri nomi: | 568-6164-2 933912910215 BF545B,215-ND BF545B215 |
| Figura di rumore: | - |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 8 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | BF545B,215 |
| Guadagno: | - |
| Frequenza: | - |
| Descrizione espansione: | RF Mosfet N-Channel JFET TO-236AB (SOT23) |
| Descrizione: | JFET N-CH 30V 15MA SOT23 |
| Valutazione attuale: | 15mA |
| Corrente - Test: | - |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per BF545B,215
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
BF545A,215 | NXP USA Inc. | JFET N-CH 30V 6.5MA SOT23 | Inchiesta |
 |
PTAC210802FCV1XWSA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | Inchiesta |
 |
2N5486_D27Z | Fairchild/ON Semiconductor | JFET N-CH 25V 20MA TO92 | Inchiesta |
 |
PD85015-E | STMicroelectronics | FET RF 40V 870MHZ | Inchiesta |
 |
CE3514M4 | CEL | RF FET 4V 12GHZ SOT343 | Inchiesta |
|
BF545C,215 | NXP USA Inc. | JFET N-CH 30V 25MA SOT23 | Inchiesta |
 |
MRF9085LSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 880MHZ NI-780S | Inchiesta |
 |
AFV141KHR5 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | Inchiesta |
|
2N5485_D27Z | Fairchild/ON Semiconductor | JFET N-CH 25V 10MA TO92 | Inchiesta |
|
MRF6S23100HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.4GHZ NI-780S | Inchiesta |
 |
BLF188XRU | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 135V 24.4DB SOT539A | Inchiesta |
|
PTVA093002NDV1R5XUMA1 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS 300W PG-HB1SOF-4 | Inchiesta |
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